中心国际梁孟松哪里人(梁孟松简介是哪里人)
中心国际梁孟松哪里人?他是清华大学电子工程系毕业的高材生,曾在美国麻省理工学院留学,获得博士学位。回国后,他担任中芯国际集成电路制造有限公司副总司总经理,负责中芯国际的研发工作。这样的履历,放在国内也是妥妥的科技精英。然而,他却选择了一条不归路。。2019年7月,张汝京辞去了中芯国际董事长一职,转而担任中芯国际副董事长、执行董事。
1、如何评价梁孟松离开中芯国际?
优质回答1:中国人意识里,官本位严重,认为离开了谁地球照转,这是严重不尊重人才的体现。很多人视当官为终极目标,当不上官视为人生失败。为政者不是创造条件,让科技工作者心无旁务的搞好研发工作,而是控制人的思想严重。梁如出走,周必自载以绝谢天下!中芯,忧唉!梁和蒋都是不可多得的芯片人才,都要重用,蒋可到华为,粱在中芯,形成北梁南蒋的产业竞争良性态势。
优质回答2:还是被官位思维害了
优质回答3:梁梦松可能将离开中芯国际,这个可能对于中芯国际来说,不是一个好消息。但是从现在的情况来看,国内非常注重半导体芯片的生产和研发,已经很多企业准备涉足芯片生产,这样来说,梁梦松博士可能也不会离开大陆的,这个对于其他半导体代工企业来说,可能是一个好消息了。
梁梦松博士历经台积电,三星半导体等企业,都做出了突出的成绩。而这几年以来,由于梁梦松博士的加盟,中芯国际发展较快,不仅快速突破了14纳米,12纳米量产技术,而且N+1代芯片生产技术已经研发成功,可能也将要开始准备量产,这个技术水平大概相当于台积电7纳米的工艺制程,只需要28纳米DUV光刻机就能够生产。而且中芯国际N+2代工艺制程技术的研发也在紧锣密鼓的进行,如果未来能够获得EUV光刻机的话,那么就能够生产5纳米,甚至3纳米制程的芯片了。
而今日,中芯国际准备聘请蒋尚义担任中芯国际副董事长,而梁梦松作为CEO可能并不知情,这样的情况是比较罕见的事情。梁梦松作为中芯国际高层管理者,应该知晓中芯国际重大的人事变动,但是这个事情,可能梁梦松并不知道,这样梁梦松可能感觉到有些不受尊重了,可能就想离职了。
从上述梁梦松的贡献来看,显然是巨大的。上任的两三年内,接连突破28纳米,14纳米,12纳米,7纳米五代芯片量产技术,一下子就取得了别的半导体工厂十年八年才能够取得的成绩,这样的贡献,大家可能也是有目共睹的了。
而现在对于中芯国际来说,如果梁梦松离开,显然风险可能也是比较大的,虽然7纳米以上的量产生产工艺技术离开了梁梦松,可能暂时问题不大,但是如果考虑到未来研发的话,那么中芯国际虽然有一个蒋尚义加盟,但是如果想短期内追赶上台积电,感觉上可能就很难了。
综上所述,梁梦松在中芯国际做出了重大贡献,如果现在离开,可能会对中芯国际造成比较大的影响。但是现在我国半导体产业发展很快,梁梦松博士可能也不会到国外的,只要是留在国内,只要有人给巨额投资,那么可能过个几年,又一个强大的芯片代工企业就有可能崛起了。
2、中芯国际光刻机究竟什么层次,有权威、全面解答吗?
优质回答1:感谢您的阅读!中芯国际光刻机到底什么层次呢?
我们知道最近中芯国际压力很大,它发布通告:称已知悉美国商务部工业与安全局根据美国出口管制条例向部分供应商发出信函。
并且已经对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制,须事前申请出口许可证后,才能向中芯国际继续供货。其实,我们对于中芯国际应该有两种态度,第1种态度,不要过分的夸大中芯国际的能力,实际上中芯国际和目前的顶级芯片代工企业台积电等还是有一定的差异,毕竟他们已经在研发更高层次的工艺制程。
第2种态度,我们也不要小看中芯国际的能力,除了一些主要的顶级芯片代工企业之外,中芯国际的表现也可圈可点,它能够满足大部分芯片的代工需求。
我们也希望中芯国际能够不断的拓展它的技术和能力,能够满足我们对于芯片代工的需求。
优质回答2:显然题主对于芯片制造的设备根本搞不清,不明白什么是光刻机,也不明白中芯国际到底是做什么的,这里我给题主大致的讲解下吧!
1、中芯是代工厂制程可能到了7nm
首先得明白一点中芯国际它自身并不生产光刻机,从业务上来说中芯只是代工厂,它的主营业务其实和台积电一样,主要就是代工生产各种芯片,比如华为7nm麒麟芯片由台积电生产,而近期华为又将旗下14nm芯片转交给了中芯国际生产。
14nm已量产:目前中芯国际的生产工艺以及达到了14nm,2019年年底时已经量产,今年的产能会持续爬坡,2020年底能将达到月约2万片的产能。同时中芯国际也已经完成了下一代新制程工艺的研发,也就是N+1的工艺,目前已经进入了客户导入验证阶段,2021年底应该也能量产。
N+1制程可达7nm:对于N+1工艺中芯并未明确是多少纳米,但按照现有公布的参数和功耗来算,业界普遍估计的是7nm工艺。此外,N+2的工艺中芯也已经在研发了,业内认为该工艺属于7nm的高性能版本。2、中芯生产需要光刻机
但是,在生产芯片的过程中,中芯国际需要光刻机这样的设备,没有光刻机是无法生产芯片的。目前台积电使用A *** L的7nm EUV光刻机可以生产7nm芯片,今年下半年应该可以用来量产华为的5nm芯片,后续甚至可生产3nm、2nm芯片。
中芯国际目前还没有7nm EUV光刻机,此前从AMSL采购了一台,但是由于各种原因荷兰 *** 没有发放出口许可,因此这台机器至今到未。
但是没有7nm EUV光刻机暂时并不影响中芯当前的芯片生产,一个是当前量产的14nm工艺芯片暂时还用不上,其次N+1工艺虽然可能是7nm工艺制程,但仍旧可以使用现有的DUV光刻机来生产,只是生产效率会相对低一些。
因为,有7nm EUV光刻机的情况下,7nm工艺的芯片生产只要曝光一次就可以完成,而DUV的光刻机(下图为A *** L的DUV光刻机)同样生产7nm工艺芯片则需要多次曝光才能实现。不过不管怎么说中芯现有光刻机还是可以生产。
3、我国量产光刻机只支持90nm工艺
目前中芯使用的光刻机都不是我国自主生产的,因为国产光刻机水平较低,现有量产机型更高只支持90nm制程工艺,而且也仅有一家厂商能生产,这就是上海微电子。
仅有90nm光刻机:上海微电子虽然只能生产90nm光刻机,但他已经是国内更先进的厂商了,其他一些国产厂商的技术就更加落后了。在全球范围内,我国的光刻机就是低端水平,中端则有日系厂商(尼康和佳能)占据,而高端市场就只有荷兰A *** L。
65nm光刻机验证中:当然,上海微电子对于自己的处境还是比较清楚的,因此现阶段也在努力提升自己的技术。根据业内的消息,上海微电子早在2018年就已经在验证65nm光刻机,如果按时间来计算的话,预估未来一阶段可能会量产此工艺的光刻机。一旦跨过65nm这道坎,未来应该能较快的升级到45nm,乃至28nm工艺上来,因此未来几年我国的光刻机水平应该会有较快的进步。但到了28nm之后,再想要快速增长可能就会变得比较困难起来。
Lscssh科技官观点:
总体而言,我国现有的光刻机水平偏低,仅有90nm的光刻机和领先的A *** L不是差距不是一点点,未来很长一个阶段需要持续的资金投入研发。而中芯国际的整体水平还算较好,已经量产的14nm工艺和和台积电、三星的差距相对较小一些,仅有2、3代的差距,未来10年如果发展顺利或许能追赶上。
感谢阅读,给点个赞鼓励下呗,欢迎关注【Lscssh科技官】,谢谢~~优质回答3:中芯国际的高端光刻机来自于荷兰A *** L,可以量产14nm的芯片,预计今年量产7nm制程工艺的芯片,目前A *** L更先进的光刻机是EUV极紫外光刻机。
我国生产光刻机的厂商是上海微电子,可以量产90nm工艺的光刻机,占据了80%的低端光刻机市场,毕竟大多数芯片是不需要高端光刻机的。
中芯国际:14nm和7nm中芯国际是我国国内的晶圆代工厂,并不生产光刻机,高端光刻机主要来自于荷兰的A *** L,而是利用光刻机生产芯片,根台积电差不多。
目前,中芯国际代工14nm制程工艺的芯片,良品率达到了95%以上。华为旗下的海思半导体已经下单中芯国际的14nm工艺,从台积电哪里抢下了不少订单。
早在2018年,中芯国际就在A *** L预定了EUV光刻机,用于生产研发7nm工艺的芯片。但是,因为很多外界因素,至今没有收货,被逼无奈下,中芯国际在现有的基础上成功研发了N+1、N+2工艺,也就是7nm工艺。在N+1、N+2代的工艺不会使用EUV工艺,等到EUV设备就绪之后,才会转向EUV光刻工艺。
上海微电子:90nm我国生产光刻机的厂商是上海微电子,可以稳定生产90nm制程工艺的光刻机,与荷兰A *** L最新的7nm EUV光刻机还是有很大差距的,而且这些差距是无法跳过的,只有成功量产65nm、24nm等光刻机,之后才能进行下一代光刻机的研发。
其实,上海微电子和荷兰A *** L在光刻机上的差距,反映了我国和西方精密制造领域的差距,一台顶级的EUV光刻机,关键零部件来自于不同的西方发达国家,美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承等等,最关键的是这些顶级零部件对我国是禁运的。
上海微电子作为一家系统集成商,自己并不生产关键的零部件,所以做不出22nm以下的光刻机也不是他的责任。目前,只有做好了中低端,慢慢培养国内零部件厂商,才能一点一点的往上走。
荷兰A *** L:7nm和5nm目前,光刻机的大佬是荷兰的A *** L,占据了高达80%的市场份额,更先进的EUV光刻机全球只有A *** L能够生产,技术门槛极高,是人类智慧集大成的产物。
A *** L的光刻机,90%的零件均自外来,德国的光学设备和超精密仪器,美国的计量设备和光源设备等,A *** L要做的就是精密控制,在7nm的工艺下,将误差分担到13个系统,3万多个分件。
EUV光刻机的产量很低,而且A *** L还有一个奇特的规定,只有投资了A *** L才有优先供货权,而台积电、英特尔、三星、海力士都在A *** L有相当可观的股份,大半个半导体行业都是A *** L的合作伙伴。
总之,我国的上海微电子生产的光刻机与荷兰A *** L还有很大的差距,一个90nm,一个7nm EUV光刻机。在晶圆代工领域,中芯国际和台积电是竞争对手,一个是量产14nm,一个是量产7nm EUV。
如果觉得对你有帮助,可以多多点赞哦,也可以随手点个关注哦,谢谢。优质回答4:中芯国际光刻机究竟什么层次,有权威、全面解答吗?光刻机是芯片制造中重要的核心设备之一。中芯国际在晶圆代工厂中排名第五位,但工艺制程与台积电、三星相比还有不少的差距,其光刻机档次也不高。
拥有全球顶尖的光刻机及先进工艺制程还属台积电、三星,这两家代工厂目前拥有全球更先进的光刻机,可以量产到7nm工艺制程,并且正在向5nm进军、研讨3nm工艺制程的可行性。而中芯国际由于未能拥有全球先进的A *** L高端光刻机,在工艺制造上就显得要落后不少,去年中芯国际才开始量产14nm工艺制程芯片。
虽然2018年中芯国际就向A *** L高价订购了一台先进的高端的EUV光刻机,但由于美国的阻挠又祭出了瓦森纳协议,迟迟不能到位。在此情况下中芯国际在现有设备基础上正在研发新的工艺技术以达到能够制造7nm工艺制程芯片。那就是中芯国际所说的N+1、N+2制程。
N+1、N+2可达到7nm工艺制程,但与台积电的7nm EUV工艺制程又有区别。台积电7nm EUV利用先进的EUV高端光刻机,可以一次曝光完成,具有高效而且低功耗特点。而中芯国际的7nm利用多次曝光完成,效率较低,性能有所不如,N+2在N+1基础上面向的是高性能、但成本会增加。
从目前来看中芯国际与台积电有2-3代的代际差,其光刻机并非国产的。国产更好的光刻机就是上海微电子 *** EE所生产的面向90nm工艺制程的,差距更为明显。但国内目前已经攻克了较为关键的光源问题,比如武汉广电国家研究中心已经研发出新的技术,可以达到9nm工艺制程,不过还停留在实验室阶段,离正式生产还有不少的距离。
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3、中芯N+1与A *** L光刻机到底有何区别?
优质回答1:中芯国际的N+1跟A *** L光刻机有什么区别?首先我必须指出这个问题逻辑不对,因为中芯国际的N+1的工艺也是要由A *** L的光刻机来完成的,我估计题主的意思应该是中芯国际N+1制程工艺跟EUV光刻机的7nm工艺制程有什么区别吧,这样我详细说下中芯国际N+1的制程工艺究竟是怎么样的。
中芯国际N+1首先要说明的是中芯国际的N+1是相比较14nm而言,也就是说性能的提升跟面积的减少都是以14nm为基准。
在2019年的第4季度,中芯国际就宣布攻克N+1的制程工艺,而中芯国际方面表示N+1与中芯国际14纳米制程比较,效能增加20%、功耗减少57%、逻辑面积减少63%、SoC 面积减少55%,但是在性能方面只提升20%,而真正的7nm的制程工艺性能方面是要提升30%,因此外界普遍认为中心国际N+1就是7nm的制程工艺其实错误的,中心国际的N+1应该是介意10nm至7nm之间才对,所以中芯国际对外表示不是7nm工艺,而是采用N+1来命名。
中芯国际N+1 VS 7nm两者有区别吗,答案那肯定是有的:
首先N+1并未达到7nm的水准,所以之一个就是N+1的性能不如7nm。第二按照中芯国际的说法,N+1的成本略低于7nm,大概低10%。中芯国际的N+1采用是多重曝光的技术,多曝光一次,芯片的良率就会低一些,所以比EUV的极紫外光技术的良率要一些。结语:芯片行业一向是高投入高回报,你别看美国人占据产业链上端,吃专利费,他的利润是建立在全产业上的!只要中国人找到了替代 *** ,剥离美国人,对方就会陷入利润枯竭,无法研发下一代技术的窘境。华为在5G和通讯技术上的崛起就是走这条路线。如今中芯国际也在重复昨天的故事,我们摆脱控制的过程,就是对方走向衰落的过程。
优质回答2:感谢您的阅读!有了中芯国际的N+1技术,就没有A *** L什么事情了,我们要不要A *** L的EUV 7nm都不重要了!这种说法完全忽略了A *** L的厉害之处,也错误的估计了中芯国际的N+1的技术优势!
了解中芯国际的N+1——
其实,我们也知道作为中国目前少有的芯片代工厂,在之前它就已经非常杰熟练的掌握了14nmFinFET 制程工艺的量产。
可是,你也得知道目前台积电,三星都在5nm工艺制程上胶着了。好在,中芯国际的梁孟松提到了,中芯国际最新研发出了N+1和N+2工艺。
问题来了,因为他的话里提到了,这两种工艺非常接近7nm工艺。有些人就想当然认为这就是中芯国际的7nm工艺。对不起,你想岔了,虽然它的工艺很先进。但是,它的优势主要集中在——
N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63% 。7nm还是7nm
虽然,技术进步了。可是,它还不是7nm工艺制程,它确实在接近7nm工艺,可是你也得知道的是——它和7nm工艺还有一定的距离。
中芯称——“N+1 的目标是低成本应用,与 7nm 相比,其优势在 10% 左右”。
其实,我比较看好的是N+2,还是需要EUV光刻机进行技术支持的。这也说明了,技术确实在进步,但是还是需要A *** L的光刻机,才能更有更好的发挥。
未来我们只有突破荷兰光刻机的束缚,才能够真正的走上一条属于我们自己的路。而不是,即使技术发展,还得依赖A *** L。
优质回答3:中芯国际的N+1是指的是芯片的制程工艺,就像现在所说的14纳米,7纳米,5纳米,甚至3纳米制程的芯片。而阿斯麦公司的光刻机则是制造这些芯片的必备机器,中芯国际的N+1制程工艺的芯片与阿斯麦公司的光刻机根本就不是同一类,也无法放在一起进行比较,更没有什么区别。非要说区别的话,那就是中芯国际的N+1和N+2z制程工艺是用阿斯麦提供的深紫外DUV光刻机制造的。
目前来看,国际上芯片的最小制程为7纳米,2021年和2022年,台积电与三星分别量产5纳米制程的芯片和3纳米制程的芯片。而中芯国际目前已经可以生产14纳米制程的芯片了,与国际先进水平还差一代。为了追上世界发展潮流,中芯国际正在全力研发N+1和N+2制程工艺,其制造出的芯片性能,已经无限接近当今的7纳米制程了。但也只是接近而已,并不是真正的7纳米制程工艺。
据报道称:中芯国际采用N+1制程工艺的芯片相比于14nm制程工艺的芯片来说,其性能提升20%,功耗降低57%,逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%。的确,中芯国际的N+1和N+2制程的工艺已经非常接近7纳米制程工艺了,但是这是用阿斯麦公司提供的光刻机制造的。因为国产光刻机目前只能量产90纳米制程的芯片。
尽管中芯国际的制程工艺还不如三星和台积电,但是其用14纳米制程的芯片良品率已经从3%上升至95%,达到了量产14纳米制程芯片的水平。也正是因为有了这个水平,才可以接手HW14纳米制程FinFET结构的芯片。由此可知,即便是没有阿斯麦公司出口的极紫外EUV光刻机,量产14纳米制程的芯片也没有什么技术难题。但是当米国宣布凡是使用米国的设备,技术,专利的公司,向HW提供芯片时,必须要经过米国的同意,否则就对其进行制裁。这样一来,就比较难受了,毕竟阿斯麦的光刻机中,米国提供的部件占了25%,而且还是极为重要的的部件。所以说,中芯国际想要为HW制造QL芯片,就必须经过米国的同意才行,否则面临的就是制裁,有可能发生断供,断维修光刻机的事件。在这个问题上,中芯国际也是左右为难,所以说发生这一切的根源就是国产光刻机无法达到量产14纳米,7纳米制程芯片的要求。不过,国产光刻机已经实现了22纳米制程的突破,只不过离量产芯片还有一段路要走。据报道称:是采用了365纳米波长的光源,可以用于制造22纳米制程的芯片,经过多次曝光后,可以制造10纳米制程的芯片。
总而言之,还是需要等待国产先进光刻机的突破,才可以破解这一局面。
优质回答4:中芯国际的问题已经不是光刻机能解决的。台积电没有A *** L光刻机一样研制出5nm制程芯片。中芯的短板还是在研发,虽然14nm已经开始量产,但是良率太低。N+1和N+2研发进度太慢。虽然梁孟松能解决14nm制程问题,但他没有10nm及以下制程的研发经验。另外研发出来良率问题也是一个,要知道中芯在2015年28nm制程就研发出来了,但是真正量产是在2019年。14nm试量产良率不佳。估计要到今年底才能成熟。未来两年不可能达到7nm及以下制程。华为如果想量产7nm及以下制程芯片需要自己更大力度参与进去。凭借华为的狼性文化以及高薪资高号召力,相信一年应该不成问题。
4、我们能不能投资数万亿吸纳全球顶级芯片专家研发芯片?
优质回答1:哪怕投资数万亿,也并一定能够吸引到很多全球最顶尖的芯片专家(半导体人才)!
即使吸引到众多顶尖的芯片专家,也不能在短时间内造出大陆产的纯国产7nm制程芯片!
投个几万亿,肯定能招到很多顶尖人才,但最核心的那一拨人,是很难吸引过来的!
……
全球各国半导体企业都在高薪挖人想要造出更先进制程的芯片,就必须要有众多顶尖的半导体人才!
在芯片设计领域,三星、英特尔、华为海思半导体、高通、苹果、联发科都拥有很多顶尖的芯片设计专家!
在芯片制造领域,台积电、三星、英特尔的芯片制造专家综合实力最强大!
越是顶尖的公司,越是渴望人才,越是会投入重金招募人才;不仅要给钱,还要给股份!
台积电招募半导体人才,大都是百万薪酬起步的,很多小公司抢不过!
即使开出了比台积电更高的薪酬,也不一定能够抢得过台积电!
因为很多半导体人才不太差钱,更在乎是否能够实现自己的科研成果,提高自身的技术水平,达成产学研使命!
只有和更优秀的半导体人才一起共事,才更容易持续攻坚高科技!
……
至于花重金招募半导体人才,最近二三十年来,咱们一直都是这么干的,不仅仅是给钱,还在创造各种适合海外半导体人才发展的科研环境!
在吸引半导体人才方面,中国和韩国都是非常拼的!
据日媒报道,自1970年代中期至今,大约40年左右时间,至少有1000多名日本机电企业顶级技术人员流向以中国和韩国为中心的亚洲企业!
二三十年前,韩国半导体企业是被美日半导体企业吊打的;
如今,三星、SK海力士已经变成了全球半导体领域的霸主,超越了日本!三星半导体更是与英特尔旗鼓相当!
为了做好半导体产业,三星集团前会长李健熙曾先后50多次前往美国硅谷,引进技术和人才!
近年来,中国半导体企业越来越多,各个公司都在向海外半导体人才伸出橄榄枝!
……
过去,咱们比较落后,即使拿出再多的钱,也很难吸引到半导体人才;
如今,咱们的半导体产业越来越强了(半导体技术距离美日韩还有不小的差距),吸引人才的难度低了不少!
多花钱,能够吸引到一部分人才,加速发展咱们的半导体产业(包括芯片制造)!
不过,在关键核心技术和高精尖设备上,咱们还是太弱了!
只要再过十来年,咱们定然能够在更多的高科技领域全面超越美日韩企业!
……
以上仅为浩子哥个人浅见,欢迎批评指正;
喜欢的可以关注浩子哥,谢谢!
认同浩子哥看法的,请您点个赞再走,再次感谢!
优质回答2:我回答的题目是:
我们的芯片人才队伍建设总方针应当是“全方位与立体化”
按《中国集成电路产业人才白皮书(2017~2018)》,到2020年前后,我们半导体产业人才需求规模约为72万人左右,而现有人才的存量则为40万人,缺口将达到32万。缺的人一定不都是中国顶级以至全球顶级的专家,这样的专家在全中国和全世界人才队伍中本就都是占比最小的,自始至今一直都是稀缺的人力资源。本文认为,整个芯片人才队伍建设必须确立和遵循“全方位与立体化”这个总方针,或者叫强化对这个总方针的遵循,高端和顶级人才倒是1个必须固定不变的吸纳重点。
专家级人才特别是顶级的专家太重要了!属于芯片科技发展的中坚力量以至领军人才嘛。人才本就也是芯片产业发展的核心,中坚力量以及领军人才则是这个核心的核心,从梁孟松到中芯国际仅3年余却达成了需要花十年以上时间才能达成的任务这个事实就能看出,所带领的2000多位工程师之前就在中芯国际供职,可见即便在解决芯片制造燃眉之急和科技队伍能力迅速提升上也是作用突出的;从美国德州仪器跳槽的张忠谋、张汝京、尹志尧后来取得的辉煌业绩也能够看出,特别是更能够看出分别在台积电、中芯国际、中微半导体长远发展上所起到的核心作用,战略性人才资源。显然,包括吸纳全球顶级专家在内,做大做强专家队伍同样是我们芯片产业人才队伍建设的重中之重,多多益善,也就应当作为投资的主要方向,投资再大也必须舍得。事实上,一直就是我们在芯片人才投资上演出的重头戏之一,2019年,据日本经济新闻报道,台湾已有3000名半导体工程师跳槽至大陆,约占岛内4万名的十分之一;据韩国贸易协会报道,中国企业用高薪挖走大批韩国电池、半导体、航空等行业技术人才,甚至有给出为平均年薪3~4倍待遇的,还给房给车。华为的海思半导体之所以发展至国际先进,正是由于吸纳了全球人才。国内企业以往吸纳的人才当中,一定包括专家级人才,尽管总量相比之下一定是不多的;按任正非早前所说,华为整个公司倒是的确有那么多科技大才,包括但不局限于全球顶级的。
“全方位与立体化”这个总方针内容丰富。至少包括3个方面,或者叫3个子方针。其一,多层次延揽,即低、中、高、顶级人才全都延揽,这不仅仅因为现在是全都缺;在这个子方针之下,哪个层次人才缺得多当然就是当前吸纳和投资的重点了,着力点,重点是动态性、应调整的,我们目前最急需补上的缺口是中国以及世界的顶级和高端人才,由国内的芯片设计、制造、光刻、材料技术均为中低端即可看出。其二,多渠道凝聚,包括吸纳全球顶级的,而相比之下,挽回在国外的原有人才却是当前和今后一个时期的重点,有人明显夸大地说中国流失的人才撑起了美国芯片领域的整片天空,依据是3年里去美国的中国顶尖人才达500人,当然,我们能够吸纳的外国本土人才不会多,特别是美国及其盟国盟友的,原因不言自明,又特别是芯片制造和光刻2方面人才,这则是因为我们这2方面技术落后国外更多;还要致力于国内培养,包括在芯片企业内和相关大学当中,面向未来,华为就是这么做的;华为海思通过在世界各地包括欧洲建立研发中心来就地吸纳本土人才的做法也值得借鉴,只是首先得成为像华为那样的深且广跨国的企业;尤其要特别注重留住国内现有的人才,这个方面一直以来存在的缺陷最多,本身就需要依靠包括大力投资在内的多措并举来弥补,用环境、用氛围,特别是用自立自强和用真抓实干,这是上世纪50~60年代和本世纪初“海归”们纷纷归国、纷纷投向半导体行业的秘密,是最重要的成因,薪酬并不会百试百灵;其三,多目标吸引,即近期、中期、远期的芯片产业发展目标兼顾,使之浑然一体、承前启后,重要的是,目标群是建立在战略清晰、规划科学、布局明确、策略得当、体系健全,还有资源配置优化、优势发挥和劣势克服措施可行的基础上,使得所确立的各个目标是可实现、可巩固、可提升的,即发展是可持续的,而不是盲目的,更不是忽悠性、炒作性的;在微观层面,则是不至于造成“力量分”、“投资散”和“效率低”的情况,令人心里不托底进而不相信,如此这般之下,加上前面的2个子方针,不愁全球大才不来、本国人才不留,也不愁流失在外的人才没有回来的。
优质回答3:首先现在是投资多少钱,短期内也无法解决芯片问题。
因为单纯的芯片研发,华为的海思已经解决了但是问题就是芯片后面的支撑行业解决不了。就比如你要蒸一锅馒头。蒸馒头的技艺,你已经掌握,而且是一流水平,蒸出来,又好看又好吃。但是突然卖面粉的不卖给你面粉了,而且世界上还就那么2家面粉厂。这时候你想,老子有钱,自己开面粉厂。但是你发现,卖小麦的也不卖给你小麦了。这时候你又想,难不倒我。我自己种小麦。这时候你发现,种子人家也不卖给你。
举这个例子,你就知道华为多难了。
后面这么多程序,因为美国前几十年的技术领先,让整个芯片的产业链,全部都使用了美国的技术,现在美国说,你如果和华为合作,那就别用我技术,不让就制裁你。这就很难短时间解决了。
就拿 光刻胶来说,世界上更先进的荷兰A *** L董事长就说了,即使中国掌握了先进光刻机的技术也造不出先进的光刻胶,为啥呢?因为A *** L自己也无法闭门造车。A *** L的光刻机中超过90%的零件都是向外采购,光刻机有上万个精密零部件,而且一些关键部件的制造公司在全球也就一两家,还和A *** L交叉持股,产量本就供不应求,即使中国有着强大的制造业,且模仿能力超强,而且投巨资搞研发,短时间国内配套零部件制造也肯定是追不上人家的,技术经验(积累)和人才储备都是需要时间的。
再就是,与其万亿吸纳人才,不如想办法留住人才一个很尬尴的情况就是,国内留不住顶尖人才。看看清华,北大的高材生都去了哪里?国家花这钱给他们留学,结果最后都留在了美国。比如全球最强材料学家前六甲均为华人,但我国材料工业仍然落后。
这个不能以爱不爱国评价,而是要想一下,为啥留不住人才。
少年天才尹希的故事,少年成名。现在已经成为了一名优秀的物理学家。也被国际物理学界寄予厚望的青年物理学家之一。本来读完哈佛博士的尹希应该回国的,因为哈佛传统来说是不让博士生继续在本校读博士后的,但是哈佛大学为他打破惯例,让他继续在哈佛就读博士后,而且后来才被报道出来,尹希在读博期间已经加入了美国国籍。
比如李爱珍国内顶尖的半导体微材料专家,结果呢?4次申请国内的院士,都被拒绝。而第四次直接以年龄太大拒绝 ,也就标准着她今生与院士无缘了。结果 2007年5月,李爱珍当选美国国家科学院外籍院士 。
为什么我们留不住人才呢?从前几天中科院合肥研究院百人离职就可以窥探一二。我们的科研氛围太复杂。科研成果被侵占,研究经费的下发不是根据课题的重要性,而是看其他因素。科研领域不同于职场,或者其他什么场。不能有那么多弯弯绕绕,这样他们才能一心搞研究,如果一帮科研人员整体盯着怎么讨好领导,怎么站队。整体研究职场厚黑学。那心无杂物的一流人才只能选择离开。
让科研这一块纯粹一点,不要有学而优则士的氛围。而且保证一流人才的待遇。
高科技行业是一个高投入,长周期的行业。不是一朝一夕就能出效果的。所以钱到位只是最基本的条件,其他还需要对人才的尊重,对科研本身的敬畏。然后就只能交给时间了。虽然我们有那样这样的问题,但是总体是在往好的方向改善,而且芯片现在已经被提到了前所未有的高度,相信在不长的时间内,我们可以做到完全自主。
优质回答4:感谢您的阅读!投资数万亿来吸纳全球顶级芯片专家?这种 *** 可行吗?有可行性,但是成效并不大。因为太多的限制,决定了我们的技术很难发展,我们说说限制因素有哪些?
限制因素一:国际封锁
我们先说一个协议,这个协议签订于1996年7月,以西方国家为主的33个国家在奥地利维也纳签署了《瓦森纳协定》。
它的规定中,有一项就是专门针对技术的限制。它涵盖了先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统等9大类技术,而我们现在的“芯痛”就在其中。
这种协议就像一根针插在我们心中,让我们难以发展,甚至让我们的芯片技术,难以获得国外先进技术的共享。
限制因素二:政策壁垒
这种壁垒不仅仅是技术性的,也是政治性的。有些国家设置壁垒,来影响我们之间技术的交流,影响人才之间的交流。
这种国家设置的壁垒,确实令我们很无奈,我们很难突破这种壁垒的限制。这种限制可能间接导致了一些技术人才回国,一些国外技术人才不能来我国。
限制因素三:芯片专家从来都是香馍馍
我们必须知道,芯片专家从来都是香馍馍,没有任何一家企业,或者一个国家不重视芯片专家。
资金确实能够获得一部分芯片专家,但是对于这些人来说,可能需要的不仅仅是金钱。更为优渥的研究条件,更浓烈的学术氛围等等都是必要的。
芯片确实制约了我们很多地方的发展,可是我们也不用妄自菲薄,我们的华为,紫光展锐等等企业都在发展芯片,我们更可以确认的是,芯片未来一定能够解决。
5、中国半导体光刻设备研究达到了什么水平?
优质回答1:晶圆工厂生产芯片,必须将掩膜版上的电路图形转移到硅晶圆片上,这就必然要用到先进的前道光刻机。也可以说,光刻在半导体芯片的制造工艺中,是最为关键的工艺环节。一般地,光刻的水平是高是低,会直接决定芯片的制程工艺和性能是优是差。晶圆工厂在生产芯片的过程中,需要利用光刻机进行20到30次的光刻,所耗用的时间在生产环节中占到一半左右,在芯片的生产成本中占比更是高达三分之一左右。
要论中国的光刻机设备在技术上达到了什么样的水平?那就得看国内之一大光刻机制造商上海微电子的光刻设备是怎么个情况了。
2002年,上海微电子在上海成立,一直致力于研发并制造半导体设备、泛半导体设备和高端的智能设备,目前的产品已经覆盖芯片前道光刻机、芯片后道封装光刻机、面板前道光刻机、面板后道封装光刻机、检测设备和搬运设备等。上海微电子承接了国家规划的(重大)科技专项,以及02专项“浸没光刻机关键技术的预研项目”(通过了国家验收)和“90nm光刻机样机的研制”(通过了02专项专家组现场测试)任务。
▲上海微电子的光刻机。
▲荷兰A *** L的光刻机,单台价值达1亿美金左右。
上海微电子的芯片前道光刻机已经实现了90nm制程,虽然这比起荷兰A *** L更先进的EUV极紫外光刻机仍有很大的差距。据业界传言,上海微电子也已经在对65nm制程的前道光刻设备进行研制(目前正在进行整机考核)。光刻机技术到了90nm是一个很关键的台阶,设备制造商一旦迈过90nm的台阶,后面就很容易研制出65nm的光刻设备,之后再对65nm的设备进行升级,就可以研制出45nm的光刻机。业者预估,上海微电子的光刻机设备有望在未来几年内达到45nm的水平。
上海微电子的封装光刻机在市场上的占有率就相当的高了,尤其在国内的市场上。上海微电子的后道封装光刻机已经可以满足各类先进的封装工艺,且具备向客户批量供货的能力,还出口到了国外。上海微电子的芯片后道封装光刻机在国内的市占率有80%,在全球的市占率达40%。另外,上海微电子研制并用于LED制造的投影光刻机,在市场上的占有率为20%。
最后,我觉得有必要补充一则消息,这也是我最近几天在 *** 上看到的(尚无法考证该消息的真实性)。该消息有这样一段文字:“2016年底,华中科技大学国家光电实验室利用双光束在光刻胶上完成了9nm线宽、双线间距低至约50nm的超分辨光刻 。未来如果将这一技术工程化应用到光刻机上,我国就可以突破国外的专利壁垒,直接达到EUV极紫外光刻机的加工水平。”
优质回答2:芯片是一个高度技术化的领域,除了华为基本上没有国产芯片什么事,而在生产芯片必备的光刻机上,国产品牌仍然是落后很多,现在连陪跑都算不上。这就是巨大的差距。
目前全球的光刻机市场基本上是荷兰的a *** l光刻机市场在垄断,基本占据了高端光刻机市场80%的份额,2017年卖出了198台光刻机,更高级别的是euv光刻机,高达1亿欧元的售价。
所以,光刻机领域我国还是只能靠进口,而且在2018年前都不能进口荷兰最新的a *** l光刻机,因为美国不让,直到今年才能直接购买最新的a *** l光刻机。
我国光刻机和荷兰差距巨大,现在荷兰a *** l光刻机已经可以生产7nm的芯片,而我国的光刻机刚刚实现90nm的芯片光刻机功能,差距太大。至少差了五代的产品。
生产我国光刻机,代表光刻机生产更高水平的是上海微电子的前道光刻机,目前可以生产90nm芯片,而正在研发65nm的芯片设计,这样的升级难度比从0到90nm低得多,所以预计很快就可以生产65nm和45nm的芯片了。
上海微电子的后道封装光刻机已经在销售和出口了,卖的还不错,这个领域全球市场占有率在40%,所以基础的实力还是有的。
你认为中国光刻机能赶得上荷兰先进水平吗?优质回答3:芯片制造的工艺流程很长,光刻是其中最为关键的一步,由上海微电子生产的SSA600/20国产前道光刻机目前还只能达到90nm工艺。
虽然半导体之一大设备光刻机中国只能依赖向A *** L进口,但值得注意的是,在半导体第二大设备「刻蚀机」上,中国已经达到了世界顶尖的水平。
2004年,一直在美国硅谷从事半导体行业,并且曾担任美国应用材料公司副总裁的尹志尧归国创办「中微半导体」,3年后团队研发的7nm刻蚀机开始打破国外垄断的局面。尹志尧的前东家应用材料和科林认为中微侵犯了它们的知识产权并提起诉讼,但中微提供的关键证据证明自己用的并非是另外两家的技术;在中微赢得专利公司以后,美国商业部于2015年发布公告,把等离子刻蚀机从禁售名单中移除。
优质回答4:2014年诺贝尔化学奖授予了发明STED *** 的斯蒂芬·黑尔教授,表彰他利用生物荧光效应突破光学衍射极限,实现超分辨光学显微成像的卓越贡献。2013年华中科技大学武汉光电国家研究中心甘棕松教授自主研发出具有双光子吸收特性的光刻胶,采用类似STED的原理在光刻胶上实现了突破光学衍射极限的SPIN(Super-resolution Photoinduction-Inhibited Nanolithography )超分辨光刻,更好结果达到单线9纳米线宽,双线间距周期52纳米。
甘棕松教授发明的SPIN超分辨光刻技术利用自主研发光刻胶的双光子吸收特性,采用与获诺贝尔奖STED *** 同出一辙的二束激光完成光刻加工:一束为飞秒脉冲激光,经过扩束整形进入到物镜,聚焦成一个很小的光斑。光刻胶通过双光子过程吸收该飞秒光的能量,发生光物理化学反应引发光刻胶发生固化。另外一束为连续激光,同样经过扩束整形后,进入到同一个物镜里,聚焦形成一个中心为零的空心状光斑,与飞秒激光光斑的中心空间重合,光刻胶吸收该连续光的能量,发生光物理化学反应,阻止光刻胶发生固化。两束光同时作用,最终只有连续光空心光斑中心部位的光刻胶被固化。空心光斑中心部位最小做到9nm,光刻胶固化的线宽就能达到9nm,双线间距周期52nm,从而实现突破光学衍射极限的SPIN超分辨光刻加工。
SPIN超分辨光刻技术应用到集成电路步进扫描光刻机可以带来几个方面的好处:一方面实现更高的分辨率,最小线宽达到9nm,最小间距周期52nm,成倍提高光刻机的技术性能,媲美EUV光刻机。另外一方面系统光源采用可见光,可以穿透普通的光学材料,光路设计相对简单,现有技术就能实现。再者,与动辄几千万美元的DUV主流光刻机乃至一亿多美元售价的EUV光刻机相比,主要光源是一台可见光飞秒激光器和一台连续光激光器,总体制造成本只是主流DUV光刻机的几分之一。
2002年林本坚提出浸没式光刻设想,2007年A *** L与台积电共同开发出ArFi浸没式光刻机,一举奠定A *** L在光刻领域的龙头地位。SPIN光刻与浸没式光刻一样具有划时代意义,开展SPIN技术步进扫描光刻机的工程研发,希望能在光刻机高端领域弯道超车、有所突破。
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